Изображение служит лишь для справки
BC81740MTF
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 45
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов:3
- Вес:30mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:700mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):100MHz
- Максимальная мощность рассеяния:310mW
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:60
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2004
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Частота:100MHz
- Основной номер части:BC817
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:310mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):45V
- Максимальный ток сбора:800mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:250 @ 100mA 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:700mV @ 50mA, 500mA
- Частота перехода:100MHz
- Максимальное напряжение разрушения:45V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):50V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Максимальная температура перехода (Тj):150°C
- Высота:1.2mm
- Длина:2.9mm
- Ширина:1.3mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 45
Итого $0.00000
аналогичные продукты










