Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
50C02CH-TL-E
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin CPH
Date Sheet
Lagernummer 3000
- 1+： $0.55279
- 10+： $0.52150
- 100+： $0.49198
- 500+： $0.46413
- 1000+： $0.43786
Zwischensummenbetrag $0.55279
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя：5 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：100mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：500MHz
- Максимальная мощность рассеяния：700mW
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：300
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2003
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Частота：500MHz
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：700mW
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
- Максимальный ток сбора：500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：300 @ 10mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：100mV @ 10mA, 100mA
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
- Высота：900μm
- Длина：2.9mm
- Ширина：1.6mm
- REACH SVHC：Unknown
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 3000
- 1+： $0.55279
- 10+： $0.52150
- 100+： $0.49198
- 500+： $0.46413
- 1000+： $0.43786
Итого $0.55279
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
