BD13610S

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
TRANS PNP 45V 1.5A TO-126
Date Sheet

Lagernummer 9600

1+： $0.79992
10+： $0.75464
100+： $0.71192
500+： $0.67162
1000+： $0.63361

Zwischensummenbetrag $0.79992

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Количество контактов：3
Вес：760.986249mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Collector-Emitter Saturation Voltage：-500mV
Максимальная мощность рассеяния：1.25W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：40
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-45V
Моментальный ток：-1.5A
Основной номер части：BD136
Напряжение：80V
Конфигурация элемента：Single
Текущий：15A
Распад мощности：1.25W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
Максимальный ток сбора：1.5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：63 @ 150mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода：75MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：45V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 9600

1+： $0.79992
10+： $0.75464
100+： $0.71192
500+： $0.67162
1000+： $0.63361

Итого $0.79992

аналогичные продукты

BD13610S ON Semiconductor
от$0.799915 Со склада 9600
BD13610STU ON Semiconductor
от$0.8102376 Со склада 240
BD438STU ON Semiconductor
от$0.322106 Со склада 527
BD13616S ON Semiconductor
от$0.7957692 Со склада 1725

Телефон

BD13610S