2SD1815S-TL-E

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3-Pin(2 Tab) TP-FA T/R
Date Sheet

Lagernummer 2900

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：7 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Диэлектрический пробой напряжение：100V
Collector-Emitter Saturation Voltage：150mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：180MHz
Максимальная мощность рассеяния：1W
Количество элементов：1
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2003
Код JESD-609：e6
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Частота：180MHz
Основной номер части：2SD1815
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1W
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
Максимальный ток сбора：3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：70 @ 500mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 150mA, 1.5A
Максимальное напряжение разрушения：100V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：120V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Высота：2.3mm
Длина：6.5mm
Ширина：5.5mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2900

Итого $0.00000

аналогичные продукты

2SD1815S-TL-E ON Semiconductor
Запрос Со склада 2900
MJD31CT4 ON Semiconductor
Запрос Со склада 12500
2SD1733TLR ROHM Semiconductor
Запрос Со склада 2030
2SC4135T-TL-E ON Semiconductor
Запрос Со склада 61
KSH31CTM ON Semiconductor
Запрос Со склада 200100

Телефон

2SD1815S-TL-E