Изображение служит лишь для справки
FJD5553TM
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS NPN 400V 3A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 101
- 1+: $0.73254
- 10+: $0.69107
- 100+: $0.65196
- 500+: $0.61505
- 1000+: $0.58024
Zwischensummenbetrag $0.73254
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество контактов:3
- Вес:260.37mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:400V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:500mV
- Максимальная мощность рассеяния:1.25W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:30
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2013
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Форма вывода:GULL WING
- Основной номер части:FJD5553
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:1.25W
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):400V
- Максимальный ток сбора:3A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:30 @ 400mA 3V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 200mA, 1A
- Максимальное напряжение разрушения:400V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):1.05kV
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):14V
- Высота:2.39mm
- Длина:6.73mm
- Ширина:6.22mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 101
- 1+: $0.73254
- 10+: $0.69107
- 100+: $0.65196
- 500+: $0.61505
- 1000+: $0.58024
Итого $0.73254
аналогичные продукты










