TIP115G

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-220-3
TRANS PNP DARL 60V 2A TO220AB
Date Sheet

Lagernummer 3000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
Максимальная мощность рассеяния：2W
Количество элементов：1
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2005
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：-60V
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：7.4A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：TIP11*
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：AMPLIFIER
Тип транзистора：PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：1000 @ 1A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：2mA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 8mA, 2A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Прямоходящий ток коллектора：2A
Высота：15.748mm
Длина：10.2616mm
Ширина：4.826mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3000

Итого $0.00000

аналогичные продукты

TIP115G ON Semiconductor
Запрос Со склада 3000
TIP32ATU ON Semiconductor
Запрос Со склада 3000
TIP32AG ON Semiconductor
Запрос Со склада 30
2N6667G ON Semiconductor
Запрос Со склада 160

Телефон

TIP115G