Изображение служит лишь для справки
BD13810STU
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Date Sheet
Lagernummer 16519
- 1+: $0.80381
- 10+: $0.75831
- 100+: $0.71539
- 500+: $0.67489
- 1000+: $0.63669
Zwischensummenbetrag $0.80381
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-225AA, TO-126-3
- Количество контактов:3
- Вес:761mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:-500mV
- Максимальная мощность рассеяния:1.25W
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:40
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-60V
- Моментальный ток:-1.5A
- Основной номер части:BD138
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:1.25W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):60V
- Максимальный ток сбора:1.5A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:63 @ 150mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 50mA, 500mA
- Частота перехода:3MHz
- Максимальное напряжение разрушения:45V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):-60V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):-5V
- Высота:11mm
- Длина:8mm
- Ширина:3.25mm
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 16519
- 1+: $0.80381
- 10+: $0.75831
- 100+: $0.71539
- 500+: $0.67489
- 1000+: $0.63669
Итого $0.80381
аналогичные продукты










