Изображение служит лишь для справки
FJN3303FTA
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor
Date Sheet
Lagernummer 4756
- 1+: $0.22103
- 10+: $0.20852
- 100+: $0.19672
- 500+: $0.18558
- 1000+: $0.17508
Zwischensummenbetrag $0.22103
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Количество контактов:3
- Вес:240mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:400V
- Максимальная мощность рассеяния:650mW
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:14
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Box (TB)
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Положение терминала:BOTTOM
- Частота:4MHz
- Основной номер части:FJN3303
- Конфигурация:SINGLE
- Распад мощности:650mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):400V
- Максимальный ток сбора:1.5A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:14 @ 500mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):10μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:3V @ 500mA, 1.5A
- Частота перехода:4MHz
- Максимальное напряжение разрушения:400V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):700V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):9V
- Время выключения максимальное (toff):4700ns
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 4756
- 1+: $0.22103
- 10+: $0.20852
- 100+: $0.19672
- 500+: $0.18558
- 1000+: $0.17508
Итого $0.22103
аналогичные продукты










