Изображение служит лишь для справки
2SAR522EBTL
-
ROHM Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- SC-89, SOT-490
- TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F
Date Sheet
Lagernummer 18000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:13 Weeks
- Корпус / Кейс:SC-89, SOT-490
- Вид крепления:Surface Mount
- Монтаж:Surface Mount
- Покрытие контактов:Tin
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Минимальная частота работы в герцах:120
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:150mW
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):350MHz
- Collector-Emitter Saturation Voltage:-120mV
- Диэлектрический пробой напряжение:20V
- Опубликовано:2015
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура:150°C TJ
- Код JESD-609:e1
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):10
- Код JESD-30:R-PDSO-F3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Мощность - Макс:150mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):300mV
- Максимальный ток сбора:200mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:120 @ 1mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
- Частота перехода:350MHz
- Максимальное напряжение разрушения:20V
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):-20V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):-5V
- Прямоходящий ток коллектора:-200mA
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 18000
Итого $0.00000
аналогичные продукты










