2SD1624S-TD-E

Lagernummer 12765

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：5 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-243AA
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
Максимальная мощность рассеяния：500mW
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：100
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e6
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Форма вывода：FLAT
Основной номер части：2SD1624
Конфигурация элемента：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：140 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：1μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 100mA, 2A
Максимальная частота：150MHz
Частота перехода：150MHz
Максимальное напряжение разрушения：50V
Частота - Переход：150MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6V
Высота：1.5mm
Длина：4.5mm
Ширина：2.5mm
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 12765

Итого $0.00000

аналогичные продукты

2SD1624S-TD-E ON Semiconductor
Запрос Со склада 12765
FCX1051ATA Diodes Incorporated
Запрос Со склада 96590
2DC4672-13 Diodes Incorporated
Запрос Со склада 23870
FCX619TA Diodes Incorporated
Запрос Со склада 47077
DTC023YEBTL ROHM Semiconductor
Запрос Со склада 3000

Телефон

2SD1624S-TD-E