TIP105TU

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-220-3
TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220
Date Sheet

Lagernummer 94

1+： $0.95325
10+： $0.89929
100+： $0.84839
500+： $0.80037
1000+： $0.75506

Zwischensummenbetrag $0.95325

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Корпус / Кейс：TO-220-3
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：3
Вес：1.214g
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
Минимальная частота работы в герцах：1000
Количество элементов：1
Опубликовано：2008
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：150°C TJ
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：-60V
Максимальная потеря мощности：2W
Моментальный ток：-8A
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：80W
Мощность - Макс：2W
Тип транзистора：PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：8A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：1000 @ 3A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 80mA, 8A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-5V
Высота：16.51mm
Длина：10.67mm
Ширина：4.83mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Корпусировка на излучение：No
Без свинца：Lead Free

Со склада 94

1+： $0.95325
10+： $0.89929
100+： $0.84839
500+： $0.80037
1000+： $0.75506

Итого $0.95325

аналогичные продукты

TIP105TU ON Semiconductor
от$0.95325 Со склада 94
TIP125TU ON Semiconductor
Запрос Со склада 347
TIP147T ON Semiconductor
от$1.686144 Со склада 88168
TIP105 ON Semiconductor
Запрос Со склада 50

Телефон

TIP105TU