2SB1201S-E

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
Date Sheet

Lagernummer 6500

1+： $1.07414
10+： $1.01334
100+： $0.95598
500+： $0.90187
1000+： $0.85082

Zwischensummenbetrag $1.07414

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов：3
Максимальная мощность рассеяния：800mW
Минимальная частота работы в герцах：100
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e6
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Основной номер части：2SB1201
Мощность - Макс：800mW
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
Максимальный ток сбора：2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：140 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 1A
Частота - Переход：150MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-6V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 6500

1+： $1.07414
10+： $1.01334
100+： $0.95598
500+： $0.90187
1000+： $0.85082

Итого $1.07414

аналогичные продукты

2SB1201S-E ON Semiconductor
от$1.074142 Со склада 6500
2SB1202T-TL-E ON Semiconductor
от$1.990695 Со склада 700
2SB1203S-TL-E ON Semiconductor
от$1.898554 Со склада 56743
2SB1201T-TL-E ON Semiconductor
от$0.741714 Со склада 18200
2SA2072TLQ ROHM Semiconductor
Запрос Со склада 3000

Телефон

2SB1201S-E