Изображение служит лишь для справки
2SC6097-E
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- TRANS NPN 60V 3A TP
Date Sheet
Lagernummer 135800
- 1+: $0.33614
- 10+: $0.31711
- 100+: $0.29916
- 500+: $0.28223
- 1000+: $0.26625
Zwischensummenbetrag $0.33614
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя:2 Weeks
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:60V
- Максимальная мощность рассеяния:800mW
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:300
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2012
- Код JESD-609:e6
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Положение терминала:SINGLE
- Конфигурация:SINGLE
- Распад мощности:800mW
- Сокетная связка:COLLECTOR
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):60V
- Максимальный ток сбора:3A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:300 @ 100mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:135mV @ 100mA, 1A
- Частота перехода:390MHz
- Частота - Переход:390MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):6.5V
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 135800
- 1+: $0.33614
- 10+: $0.31711
- 100+: $0.29916
- 500+: $0.28223
- 1000+: $0.26625
Итого $0.33614
аналогичные продукты










