BD13716STU

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-225AA, TO-126-3
TRANS NPN 60V 1.5A TO-126
Date Sheet

Lagernummer 1600

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Срок поставки от производителя：6 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-225AA, TO-126-3
Количество контактов：3
Вес：761mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Минимальная частота работы в герцах：40
Диэлектрический пробой напряжение：60V
Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
Максимальная мощность рассеяния：1.25W
Количество элементов：1
Опубликовано：2000
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：60V
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：1.5A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：BD137
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：1.25W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：60V
Максимальный ток сбора：1.5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Ширина：3.25mm
Высота：11mm
Длина：8mm
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
REACH SVHC：No SVHC
Без свинца：Lead Free

Со склада 1600

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BD13716STU ON Semiconductor
Запрос Со склада 1600
BD13510STU ON Semiconductor
Запрос Со склада 1659
BD13716S ON Semiconductor
Запрос Со склада 465
BD13710STU ON Semiconductor
Запрос Со склада 25

Телефон

BD13716STU