BUL216

Lagernummer 430

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：90.718474mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：800V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
Максимальная мощность рассеяния：90W
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：12
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：800V
Моментальный ток：4A
Основной номер части：BUL216
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：90W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：800V
Максимальный ток сбора：4A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：12 @ 400mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：250μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：3V @ 660mA, 2A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：1.6kV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：9V
Максимальное напряжение на выходе：3 V
Время выключения максимальное (toff)：4020ns
Высота：9.15mm
Длина：10.4mm
Ширина：4.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 430

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BUL216 STMicroelectronics
Запрос Со склада 430
KSC5027OTU ON Semiconductor
Запрос Со склада 13000
FJP3305H1TU ON Semiconductor
Запрос Со склада 18900
BU406 ON Semiconductor
Запрос Со склада 30000

Телефон

BUL216