TIP112

STMicroelectronics
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-220-3
TRANS NPN DARL 100V 2A TO-220
Date Sheet

Lagernummer 500

1+： $1.90905
10+： $1.80099
100+： $1.69904
500+： $1.60287
1000+： $1.51214

Zwischensummenbetrag $1.90905

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：8 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：6.000006g
Материал элемента транзистора：SILICON
Производитель идентификатор упаковки：TO-220-P011
Диэлектрический пробой напряжение：100V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：500
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Максимальная потеря мощности：2W
Моментальный ток：2A
Основной номер части：TIP112
Число контактов：3
Направленность：NPN
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：2W
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：NPN - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
Максимальный ток сбора：2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：1000 @ 1A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：2mA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2.5V @ 8mA, 2A
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：19.68mm
Длина：10.4mm
Ширина：4.6mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 500

1+： $1.90905
10+： $1.80099
100+： $1.69904
500+： $1.60287
1000+： $1.51214

Итого $1.90905

аналогичные продукты

TIP112 STMicroelectronics
от$1.909045 Со склада 500
TIP102TU ON Semiconductor
Запрос Со склада 452
TIP112TU ON Semiconductor
Запрос Со склада 102
TIP110TU ON Semiconductor
от$0.935385 Со склада 1000

Телефон

TIP112