Изображение служит лишь для справки
BDX53C
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
Date Sheet
Lagernummer 8000
- 1+: $1.15506
- 10+: $1.08968
- 100+: $1.02800
- 500+: $0.96981
- 1000+: $0.91491
Zwischensummenbetrag $1.15506
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя:8 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Количество контактов:2
- Вес:90.718474mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Collector-Emitter Saturation Voltage:2V
- Максимальная мощность рассеяния:60W
- Количество элементов:1
- Диэлектрический пробой напряжение:100V
- Минимальная частота работы в герцах:750
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tube
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:100V
- Моментальный ток:8A
- Основной номер части:BDX53
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:60W
- Применение транзистора:SWITCHING
- Тип транзистора:NPN - Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):100V
- Максимальный ток сбора:8A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:750 @ 3A 3V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:2V @ 12mA, 3A
- Частота перехода:20MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):100V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
- Максимальная температура перехода (Тj):150°C
- Прямоходящий ток коллектора:8A
- Максимальное напряжение на выходе:2 V
- Высота:19.68mm
- Длина:10.4mm
- Ширина:4.6mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 8000
- 1+: $1.15506
- 10+: $1.08968
- 100+: $1.02800
- 500+: $0.96981
- 1000+: $0.91491
Итого $1.15506










