BD243CG

Lagernummer 384

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя：6 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Минимальная частота работы в герцах：30
Диэлектрический пробой напряжение：100V
Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：3MHz
Максимальная мощность рассеяния：65W
Количество элементов：1
Опубликовано：2004
Рабочая температура：-65°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
Ток постоянного напряжения - номинальный：100V
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：6A
Частота：3MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：BD243
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：65W
Сокетная связка：COLLECTOR
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：100V
Максимальный ток сбора：6A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：15 @ 3A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)：700μA
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.5V @ 1A, 6A
Частота перехода：3MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Ширина：4.82mm
Высота：15.75mm
Длина：10.28mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 384

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BD243CG ON Semiconductor
Запрос Со склада 384
TIP41CG ON Semiconductor
Запрос Со склада 16931
TIP41BG ON Semiconductor
Запрос Со склада 108
BD243BTU ON Semiconductor
Запрос Со склада 151378

Телефон

BD243CG