Изображение служит лишь для справки
KSB772YS
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS PNP 30V 3A TO-126
Date Sheet
Lagernummer 5000
- 1+: $0.63268
- 10+: $0.59687
- 100+: $0.56308
- 500+: $0.53121
- 1000+: $0.50114
Zwischensummenbetrag $0.63268
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-225AA, TO-126-3
- Количество контактов:3
- Вес:761mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальная мощность рассеяния:1W
- Диэлектрический пробой напряжение:30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:-300mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):80MHz
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:60
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2002
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:-30V
- Моментальный ток:-3A
- Частота:80MHz
- Основной номер части:KSB772
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:1W
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):30V
- Максимальный ток сбора:3A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:160 @ 1A 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1μA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:500mV @ 200mA, 2A
- Частота перехода:80MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):-40V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):-5V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 5000
- 1+: $0.63268
- 10+: $0.59687
- 100+: $0.56308
- 500+: $0.53121
- 1000+: $0.50114
Итого $0.63268
аналогичные продукты










