Изображение служит лишь для справки
2N6517BU
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN 350V 0.5A TO-92
Date Sheet
Lagernummer 33000
- 1+: $0.28275
- 10+: $0.26674
- 100+: $0.25164
- 500+: $0.23740
- 1000+: $0.22396
Zwischensummenbetrag $0.28275
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя:2 Weeks
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Покрытие контактов:Tin
- Количество контактов:3
- Вес:179mg
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Минимальная частота работы в герцах:30
- Максимальная мощность рассеяния:625mW
- Количество элементов:1
- Диэлектрический пробой напряжение:350V
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP):200MHz
- Опубликовано:2007
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный:350V
- Положение терминала:BOTTOM
- Моментальный ток:500mA
- Частота:200MHz
- Основной номер части:2N6517
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:625mW
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):350V
- Максимальный ток сбора:500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:20 @ 50mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):50nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1V @ 5mA, 50mA
- Частота перехода:40MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):350V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):6V
- Ширина:3.86mm
- Высота:4.58mm
- Длина:4.58mm
- REACH SVHC:No SVHC
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 33000
- 1+: $0.28275
- 10+: $0.26674
- 100+: $0.25164
- 500+: $0.23740
- 1000+: $0.22396
Итого $0.28275










