BC33716BU

ON Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TRANS NPN 45V 0.8A TO-92
Date Sheet

Lagernummer 3216

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов：3
Вес：179mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：45V
Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：210MHz
Максимальная мощность рассеяния：625mW
Количество элементов：1
Минимальная частота работы в герцах：60
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Bulk
Опубликовано：2017
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный：45V
Положение терминала：BOTTOM
Моментальный ток：800mA
Частота：100MHz
Основной номер части：BC337
Конфигурация элемента：Single
Распад мощности：625mW
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：45V
Максимальный ток сбора：800mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 500mA
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：5.33mm
Длина：4.58mm
Ширина：3.86mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 3216

Итого $0.00000

аналогичные продукты

BC33716BU ON Semiconductor
Запрос Со склада 3216
BC33740BU ON Semiconductor
Запрос Со склада 4000
BC33725TA ON Semiconductor
Запрос Со склада 3390
BC337 ON Semiconductor
Запрос Со склада 0

Телефон

BC33716BU