Изображение служит лишь для справки

SBC856BLT3G

Lagernummer 23057

  • 1+: $0.18474
  • 10+: $0.17428
  • 100+: $0.16442
  • 500+: $0.15511
  • 1000+: $0.14633

Zwischensummenbetrag $0.18474

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
  • Срок поставки от производителя:4 Weeks
  • Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Количество контактов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Диэлектрический пробой напряжение:65V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:-650mV
  • Максимальная мощность рассеяния:300mW
  • Количество элементов:1
  • Минимальная частота работы в герцах:220
  • Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
  • Пакетирование:Tape & Reel (TR)
  • Серия:Automotive, AEC-Q101
  • Опубликовано:2005
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:yes
  • Состояние изделия:Active
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:3
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Частота:100MHz
  • Конфигурация элемента:Single
  • Распад мощности:300mW
  • Полярность/Тип канала:PNP
  • Тип транзистора:PNP
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):65V
  • Максимальный ток сбора:100mA
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:220 @ 2mA 5V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):15nA ICBO
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:650mV @ 5mA, 100mA
  • Частота перехода:100MHz
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):80V
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO):5V
  • Прямоходящий ток коллектора:100mA
  • Высота:1.11mm
  • Длина:3.04mm
  • Ширина:2.64mm
  • Корпусировка на излучение:No
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 23057

  • 1+: $0.18474
  • 10+: $0.17428
  • 100+: $0.16442
  • 500+: $0.15511
  • 1000+: $0.14633

Итого $0.18474

аналогичные продукты