Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
ULN2002A
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- 16-DIP (0.300, 7.62mm)
- STMICROELECTRONICS ULN2002A Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP
Date Sheet
Lagernummer 200
- 1+： $0.56101
- 10+： $0.52925
- 100+： $0.49930
- 500+： $0.47103
- 1000+： $0.44437
Zwischensummenbetrag $0.56101
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：15 Weeks
- Вид крепления：Through Hole
- Монтаж：Through Hole
- Покрытие контактов：Gold
- Корпус / Кейс：16-DIP (0.300, 7.62mm)
- Количество контактов：16
- Вес：1.627801g
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：7
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.1V
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Рабочая температура：-40°C~85°C TA
- Пакетирование：Tube
- Код JESD-609：e4
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：16
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
- Положение терминала：DUAL
- Моментальный ток：500mA
- Основной номер части：ULN2002
- Число контактов：16
- Выводной напряжение：50V
- Направленность：NPN
- Конфигурация：COMPLEX
- Каналов количество：7
- Применение транзистора：SWITCHING
- Тип транзистора：7 NPN Darlington
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
- Максимальный ток сбора：500mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：1000 @ 350mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：50μA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.6V @ 500μA, 350mA
- Максимальное напряжение на выходе：1.6 V
- Ширина：7.1mm
- Длина：20mm
- Высота：4.59mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 200
- 1+： $0.56101
- 10+： $0.52925
- 100+： $0.49930
- 500+： $0.47103
- 1000+： $0.44437
Итого $0.56101
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
