Изображение служит лишь для справки
QSZ1TR
-
ROHM Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
- TRANS NPN/PNP 15V 2A 5TSMT
Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:52 Weeks
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
- Количество контактов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение:15V
- Максимальный коллекторный ток (Ic):2A
- Количество элементов:2
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2004
- Код JESD-609:e1
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN SILVER COPPER
- Максимальная потеря мощности:1.25W
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):10
- Число контактов:5
- Направленность:NPN, PNP
- Конфигурация элемента:Dual
- Мощность - Макс:500mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Продуктивность полосы частот:360MHz
- Тип транзистора:NPN, PNP (Emitter Coupled)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):12V
- Максимальный ток сбора:2A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:270 @ 200mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:180mV @ 50mA, 1A
- Частота перехода:360MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):15V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):6V
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 8
Итого $0.00000
аналогичные продукты










