QST8TR

ROHM Semiconductor
Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
TRANS 2PNP 12V 1.5A 6TSMT
Date Sheet

Lagernummer 2000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：20 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：12V
Collector-Emitter Saturation Voltage：-85mV
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：270
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2004
Код JESD-609：e1
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Максимальная потеря мощности：1.25W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：QST
Число контактов：6
Направленность：PNP
Конфигурация элемента：Dual
Мощность - Макс：1.25W
Применение транзистора：AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот：400MHz
Тип транзистора：2 PNP (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：200mV
Максимальный ток сбора：1.5A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：270 @ 200mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：200mV @ 25mA, 500mA
Частота перехода：400MHz
Максимальное напряжение разрушения：12V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：-15V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：-6V
Прямоходящий ток коллектора：-1.5A
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2000

Итого $0.00000

аналогичные продукты

QST8TR ROHM Semiconductor
Запрос Со склада 2000
ZXTD6717E6TA Diodes Incorporated
Запрос Со склада 300000
QST6TR ROHM Semiconductor
Запрос Со склада 320400
2SB1697T100 ROHM Semiconductor
Запрос Со склада 700
QST2TR ROHM Semiconductor
Запрос Со склада 30

Телефон

QST8TR