PD55003TR-E

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
Date Sheet

Lagernummer 1350

1+： $7.07592
10+： $6.67539
100+： $6.29754
500+： $5.94108
1000+： $5.60479

Zwischensummenbetrag $7.07592

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：25 Weeks
Корпус / Кейс：PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Монтаж：Surface Mount
Количество контактов：4
Количество элементов：1
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Максимальная рабочая температура：165°C
Минимальная температура работы：-65°C
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：31.7W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：250
Моментальный ток：2.5A
Частота：500MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：PD55003
Число контактов：10
Код JESD-30：R-PDSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：31.7W
Сокетная связка：SOURCE
Ток - испытание：50mA
Применение транзистора：AMPLIFIER
Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип транзистора：LDMOS
Непрерывный ток стока (ID)：2.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Увеличение：17dB
Максимальная мощность выхода：3W
Напряжение пробоя стока к истоку：40V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Напряжение - испытание：12.5V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Корпусировка на излучение：No

Со склада 1350

1+： $7.07592
10+： $6.67539
100+： $6.29754
500+： $5.94108
1000+： $5.60479

Итого $7.07592

аналогичные продукты

PD55003TR-E STMicroelectronics
от$7.075918 Со склада 1350
PD55003-E STMicroelectronics
от$10.088838 Со склада 6000
PD55003S-E STMicroelectronics
от$9.390945 Со склада 200

Телефон

PD55003TR-E