PD57030S-E

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
Date Sheet

Lagernummer 17

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Количество контактов：4
Количество элементов：1
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Максимальная рабочая температура：165°C
Минимальная температура работы：-65°C
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Ток постоянного напряжения - номинальный：65V
Максимальная потеря мощности：52.8W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：250
Моментальный ток：4A
Частота：945MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：PD57030
Число контактов：2
Код JESD-30：R-PDSO-F2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：52.8W
Сокетная связка：SOURCE
Ток - испытание：50mA
Применение транзистора：AMPLIFIER
Напряжение стока-исток (Vdss)：65V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип транзистора：LDMOS
Непрерывный ток стока (ID)：4A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Увеличение：14dB
Максимальная мощность выхода：30W
Максимальный сливовой ток (ID)：4A
Напряжение пробоя стока к истоку：65V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Напряжение - испытание：28V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 17

Итого $0.00000

аналогичные продукты

PD57030S-E STMicroelectronics
Запрос Со склада 17
PD57030-E STMicroelectronics
от$39.350679 Со склада 15
IRF7341TRPBF Infineon Technologies
от$0.418877 Со склада 120000
IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies
от$0.745295 Со склада 10000
PD57045-E STMicroelectronics
от$49.723254 Со склада 50000

Телефон

PD57030S-E