PD57070S-E

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
Date Sheet

Lagernummer 405

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：OBSOLETE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя：25 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Количество контактов：3
Количество элементов：1
Пакетирование：Tube
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
Максимальная рабочая температура：165°C
Минимальная температура работы：-65°C
Максимальная потеря мощности：95W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：250
Код соответствия REACH：not_compliant
Моментальный ток：7A
Частота：945MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：PD57070
Число контактов：10
Код JESD-30：R-PDSO-F2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：95W
Сокетная связка：SOURCE
Ток - испытание：250mA
Применение транзистора：AMPLIFIER
Напряжение стока-исток (Vdss)：65V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип транзистора：LDMOS
Непрерывный ток стока (ID)：7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Увеличение：14.7dB
Максимальная мощность выхода：70W
Максимальный сливовой ток (ID)：7A
Напряжение пробоя стока к истоку：65V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Напряжение - испытание：28V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 405

Итого $0.00000

аналогичные продукты

PD57070S-E STMicroelectronics
Запрос Со склада 405
FDD5810-F085 ON Semiconductor
от$1.337162 Со склада 50000
PD57060-E STMicroelectronics
от$42.361171 Со склада 1197
PD57060S-E STMicroelectronics
Запрос Со склада 1000
PD57070-E STMicroelectronics
от$24.83959 Со склада 22

Телефон

PD57070S-E