Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
PD85006-E
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
- PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Trans RF MOSFET N-CH 40V 2A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
Date Sheet
Lagernummer 3960
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- Срок поставки от производителя：11 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
- Количество контактов：3
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Tube
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
- Количество выводов：2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
- Максимальная рабочая температура：165°C
- Минимальная температура работы：-65°C
- Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
- Максимальная потеря мощности：36.5W
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：250
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Моментальный ток：2A
- Частота：870MHz
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：PD85006
- Число контактов：10
- Код JESD-30：R-PDSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Single
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：36.5W
- Сокетная связка：SOURCE
- Ток - испытание：200mA
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Тип транзистора：LDMOS
- Непрерывный ток стока (ID)：2A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：15V
- Увеличение：17dB
- Максимальная мощность выхода：6W
- Максимальный сливовой ток (ID)：2A
- Напряжение пробоя стока к истоку：40V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Напряжение - испытание：13.6V
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 3960
Итого $0.00000
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
