PD55025TR-E

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Date Sheet

Lagernummer 470

1+： $22.60617
10+： $21.32658
100+： $20.11942
500+： $18.98058
1000+： $17.90621

Zwischensummenbetrag $22.60617

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：25 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Количество контактов：3
Количество элементов：1
Номинальное напряжение：40V
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-65°C
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：79W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：7A
Частота：500MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：PD55025
Число контактов：10
Код JESD-30：R-PDSO-G2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：SOURCE
Ток - испытание：200mA
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип транзистора：LDMOS
Непрерывный ток стока (ID)：7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Увеличение：14.5dB
Максимальный сливовой ток (ID)：7A
Минимальная напряжённость разрушения：40V
Выводная мощность：25W
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Напряжение - испытание：12.5V
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 470

1+： $22.60617
10+： $21.32658
100+： $20.11942
500+： $18.98058
1000+： $17.90621

Итого $22.60617

аналогичные продукты

PD55025TR-E STMicroelectronics
от$22.6061748 Со склада 470
IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies
от$0.717808 Со склада 10000

Телефон

PD55025TR-E