LET9060

STMicroelectronics
Transistors - FETs, MOSFETs - RF
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10
Date Sheet

Lagernummer 310

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Корпус / Кейс：PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Количество контактов：3
Количество элементов：1
Номинальное напряжение：80V
Пакетирование：Tube
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：3 (168 Hours)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Максимальная рабочая температура：165°C
Минимальная температура работы：-65°C
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：95W
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：12A
Частота：960MHz
Основной номер части：LET9060
Число контактов：10
Код JESD-30：R-PDSO-G2
Конфигурация：SINGLE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：SOURCE
Ток - испытание：300mA
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип транзистора：LDMOS
Непрерывный ток стока (ID)：12A
Увеличение：17.2dB
Минимальная напряжённость разрушения：80V
Выводная мощность：60W
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Напряжение - испытание：28V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 310

Итого $0.00000

аналогичные продукты

LET9060 STMicroelectronics
Запрос Со склада 310
IRFR6215TRPBF Infineon Technologies
от$1.799242 Со склада 15002
IRF8721PBF Infineon Technologies
Запрос Со склада 36000

Телефон

LET9060