Изображение служит лишь для справки
2N3663
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANSISTOR RF NPN 12V 50MA TO-92
Date Sheet
Lagernummer 7523
- 1+: $0.05506
- 10+: $0.05194
- 100+: $0.04900
- 500+: $0.04623
- 1000+: $0.04361
Zwischensummenbetrag $0.05506
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов:3
- Поставщик упаковки устройства:TO-92-3
- Диэлектрический пробой напряжение:12V
- Максимальный коллекторный ток (Ic):50mA
- Количество элементов:1
- Минимальная частота работы в герцах:20
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Ток постоянного напряжения - номинальный:12V
- Максимальная потеря мощности:350mW
- Моментальный ток:50mA
- Частота:2.1GHz
- Основной номер части:2N3663
- Направленность:NPN
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:350mW
- Мощность - Макс:350mW
- Продуктивность полосы частот:2.1 GHz
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):12V
- Максимальный ток сбора:50mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:20 @ 8mA 10V
- Увеличение:1.5dB
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):12V
- Максимальная частота:2.1GHz
- Частота - Переход:2.1GHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):30V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):3V
- Прямоходящий ток коллектора:50mA
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф):6.5dB @ 60MHz
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 7523
- 1+: $0.05506
- 10+: $0.05194
- 100+: $0.04900
- 500+: $0.04623
- 1000+: $0.04361
Итого $0.05506










