Изображение служит лишь для справки
15GN01MA-TL-E
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- 3-SMD, Gull Wing
- Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 50MA 8V FT=1.5G
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:3-SMD, Gull Wing
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:3
- Диэлектрический пробой напряжение:8V
- Минимальная частота работы в герцах:200
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2011
- Код JESD-609:e6
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Максимальная потеря мощности:400mW
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Число контактов:3
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:400mW
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип транзистора:NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):8V
- Максимальный ток сбора:50mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:200 @ 10mA 5V
- Частота перехода:1000MHz
- Частота - Переход:1.5GHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):15V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO):3V
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 0
Итого $0.00000
аналогичные продукты










