Изображение служит лишь для справки

DLE30E

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:DO-201AD, Axial
  • Количество контактов:2
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество элементов:1
  • Пакетирование:Bulk
  • Опубликовано:1998
  • Код JESD-609:e3
  • Состояние изделия:Obsolete
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Количество выводов:2
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
  • Максимальная рабочая температура:150°C
  • Минимальная температура работы:-40°C
  • Применение:ULTRA FAST RECOVERY
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.80
  • Форма вывода:WIRE
  • Конфигурация элемента:Single
  • Скорость:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Тип диода:Standard
  • Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr:20μA @ 400V
  • Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If:1.25V @ 1A
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Напряжённая мощность:3A
  • Температура работы - переходная:150°C Max
  • Выводная мощность-макс:1.5A
  • Максимальное обратное напряжение (постоянное):400V
  • Средний выпрямленный ток:3A
  • Количество фаз:1
  • Время обратной рекомпенсации:30 ns
  • Пиковая обратная токовая сила:20μA
  • Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм):400V
  • Пиковый нерегулярный импульсный ток:60A
  • Корпусировка на излучение:No
  • Состояние RoHS:RoHS Compliant

Со склада 0

Итого $0.00000

аналогичные продукты

  • DLE30E ON Semiconductor

    Запрос Со склада 0

  • 1N5401G-T Diodes Incorporated

    от$0.307857 Со склада 2390

  • MUR415RLG ON Semiconductor

    Запрос Со склада 9800000

  • 1N5401 ON Semiconductor

    Запрос Со склада 2000

  • DLE30C ON Semiconductor

    Запрос Со склада 0