Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
STGP10M65DF2
-
STMicroelectronics
-
Transistors - IGBTs - Single
- TO-220-3
- STMICROELECTRONICS STGP10M65DF2 IGBT Single Transistor, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-220, 3 Pins
Date Sheet
Lagernummer 2500
- 1+： $1.50282
- 10+： $1.41776
- 100+： $1.33751
- 500+： $1.26180
- 1000+： $1.19038
Zwischensummenbetrag $1.50282
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Срок поставки от производителя：30 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Количество контактов：3
- Диэлектрический пробой напряжение：650V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.55V
- Условия испытания：400V, 10A, 22 Ω, 15V
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная потеря мощности：115W
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Основной номер части：STGP10
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：115W
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：2V
- Максимальный ток сбора：20A
- Время обратной рекомпенсации：96 ns
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 10A
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：28nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：40A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：19ns/91ns
- Переключаемый энергопотребление：120μJ (on), 270μJ (off)
- REACH SVHC：No SVHC
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 2500
- 1+： $1.50282
- 10+： $1.41776
- 100+： $1.33751
- 500+： $1.26180
- 1000+： $1.19038
Итого $1.50282
аналогичные продукты
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
