MS2202

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
NPN 2 W 35 V 1025 to 1150 MHz Surface Mount RF Microwave Transistor - M-115
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Chassis Mount, Surface Mount
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：4
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Диэлектрический пробой напряжение：3.5 V
РХОС：Compliant
Описание пакета：HERMETIC SEALED, M115, 4 PIN
Форма упаковки：DISK BUTTON
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：MS2202
Форма упаковки：ROUND
Производитель：Microsemi Corporation
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.65
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Подкатегория：Other Transistors
Максимальная потеря мощности：10 W
Положение терминала：RADIAL
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：4
Код JESD-30：O-CRDB-F4
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：NPN
Конфигурация：SINGLE
Сокетная связка：BASE
Выводная мощность：2 W
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Максимальный ток сбора：250 mA
Увеличение：9 dB
Максимальная частота：1.15 GHz
Частота перехода：1.15 GHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：45 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：10 W
Максимальный ток коллектора (IC)：0.25 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：30
Частотная полоса наивысшего режима：L BAND
Корпусировка на излучение：No
Без свинца：Lead Free

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

MS2202