Русский (язык)
Популярные:
(0)
Изображение служит лишь для справки
MRF581A
-
Advanced
-
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- Macro-X
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
Lagernummer 3569
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：Macro-X
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：2.5 V
- Распад мощности：1.25 W
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：90
- Вес единицы：0.003527 oz
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд：Advanced Semiconductor, Inc.
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：15 V
- Пакетирование：Tray
- Тип：RF Bipolar Small Signal
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Частота работы：1 GHz
- Тип продукта：RF Bipolar Transistors
- Тип транзистора：Bipolar
- Прямоходящий ток коллектора：200 mA
- Категория продукта：RF Bipolar Transistors
Со склада 3569
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Kynix
Контакты
