MMBFJ202

ON Semiconductor
Transistors - JFETs
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
Date Sheet

Lagernummer 36882

1+： $0.51676
10+： $0.48751
100+： $0.45991
500+： $0.43388
1000+： $0.40932

Zwischensummenbetrag $0.51676

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов：3
Вес：30mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Пороговая напряжённость / В：40V
Количество элементов：1
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2008
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный：40V
Максимальная потеря мощности：350mW
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：50mA
Основной номер части：MBFJ202
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：DEPLETION MODE
Распад мощности：350mW
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：AMPLIFIER
Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
Непрерывный ток стока (ID)：5.4mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：-40V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：JUNCTION
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)：900μA @ 20V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id：800mV @ 10nA
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 36882

1+： $0.51676
10+： $0.48751
100+： $0.45991
500+： $0.43388
1000+： $0.40932

Итого $0.51676

аналогичные продукты

MMBFJ202 ON Semiconductor
от$0.516757 Со склада 36882
MMBF4091 ON Semiconductor
Запрос Со склада 671
MMBFJ201 ON Semiconductor
от$0.48862 Со склада 26000
MMBF5103 ON Semiconductor
от$0.460335 Со склада 140808
PMBFJ112,215 NXP USA Inc.
Запрос Со склада 6220

Телефон

MMBFJ202