Изображение служит лишь для справки
2N5639G
-
ON Semiconductor
-
Transistors - JFETs
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- JFET N-CH 35V 0.31W TO92
Date Sheet
Lagernummer 613
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:1
- Рабочая температура:-65°C~150°C TJ
- Пакетирование:Bulk
- Опубликовано:2006
- Код JESD-609:e1
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Ток постоянного напряжения - номинальный:30V
- Максимальная потеря мощности:310mW
- Положение терминала:BOTTOM
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:10mA
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:2N5639
- Число контактов:3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:DEPLETION MODE
- Мощность - Макс:310mW
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:10pF @ 12V VGS
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):35V
- Сопротивление открытого канала-макс:60Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):JUNCTION
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):4 pF
- Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0):25mA @ 20V
- Сопротивление - RDS(на):60Ohm
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 613
Итого $0.00000
аналогичные продукты










