H11B1VM

ON Semiconductor
Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
6-DIP (0.300, 7.62mm)
OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Date Sheet

Lagernummer 373

1+： $0.59293
10+： $0.55936
100+： $0.52770
500+： $0.49783
1000+： $0.46965

Zwischensummenbetrag $0.59293

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Корпус / Кейс：6-DIP (0.300, 7.62mm)
Покрытие контактов：Tin
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Количество контактов：6
Вес：855mg
Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
Коэффициент передачи тока-мин：500% @ 1mA
Максимальная мощность рассеяния：250mW
Количество элементов：1
Пакетирование：Tube
Опубликовано：2014
Рабочая температура：-40°C~100°C
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：UL APPROVED, VDE APPROVED
Токовая изоляция：4170Vrms
Выводной напряжение：25V
Выводной тип：Darlington with Base
Конфигурация：SINGLE
Каналов количество：1
Распад мощности：250mW
Напряжение - прямое (Vf) (Тип)：1.2V
Входной тип：DC
Тип оптоэлектронного устройства：DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER
Напряжённая мощность：80mA
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1V
Максимальный ток сбора：150mA
Обратное пробивное напряжение：3V
Максимальный входной ток：80mA
Время включения / выключения (тип)：25μs, 18μs
Коэффициент передачи тока：500%
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 373

1+： $0.59293
10+： $0.55936
100+： $0.52770
500+： $0.49783
1000+： $0.46965

Итого $0.59293

аналогичные продукты

H11B1VM ON Semiconductor
от$0.5929263 Со склада 373
H11A3M ON Semiconductor
от$0.334912 Со склада 6520

Телефон

H11B1VM