Изображение служит лишь для справки

FOD817C

Lagernummer 13350

  • 1+: $0.28923
  • 10+: $0.27286
  • 100+: $0.25741
  • 500+: $0.24284
  • 1000+: $0.22910

Zwischensummenbetrag $0.28923

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
  • Срок поставки от производителя:7 Weeks
  • Покрытие контактов:Tin
  • Монтаж:Through Hole
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:4-DIP (0.300, 7.62mm)
  • Количество контактов:4
  • Вес:408mg
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:200mV
  • Коэффициент передачи тока-мин:200% @ 5mA
  • Максимальная мощность рассеяния:200mW
  • Количество элементов:1
  • Рабочая температура:-55°C~110°C
  • Пакетирование:Tube
  • Опубликовано:2002
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:yes
  • Состояние изделия:Active
  • Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
  • Код ECCN:EAR99
  • Дополнительная Характеристика:UL APPROVED
  • Токовая изоляция:5000Vrms
  • Выводной напряжение:70V
  • Выводной тип:Transistor
  • Конфигурация:SINGLE
  • Распад мощности:200mW
  • Напряжение - прямое (Vf) (Тип):1.2V
  • Входной тип:DC
  • Напряжённая мощность:50mA
  • Максимальная выходная напряжение:70V
  • Выходный ток на канал:50mA
  • Время подъема:18μs
  • Время падения (тип):18 μs
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):200mV
  • Максимальный ток сбора:50mA
  • Время подъёма / падения (тип):4μs 3μs
  • Обратное пробивное напряжение:6V
  • Максимальный входной ток:50mA
  • Ток входа:50mA
  • Коэффициент передачи тока (макс):400% @ 5mA
  • Корпусировка на излучение:No
  • Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
  • Без свинца:Lead Free

Со склада 13350

  • 1+: $0.28923
  • 10+: $0.27286
  • 100+: $0.25741
  • 500+: $0.24284
  • 1000+: $0.22910

Итого $0.28923

аналогичные продукты

  • FOD817C ON Semiconductor

    от$0.289228 Со склада 13350

  • TLP781F(D4-GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage

    от$0.065968 Со склада 2398