BLV32F

Advanced
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Axial
RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：Axial
Поставщик упаковки устройства：Axial
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：4 V
Распад мощности：82 W
Полярность транзистора：NPN
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：20
Минимальная температура работы：- 65 C
Монтажные варианты：Screw Mount
Производитель：Advanced Semiconductor, Inc.
Бренд：Advanced Semiconductor, Inc.
РХОС：Details
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：32 V
Рабочая температура：-55°C ~ 250°C
Серия：Military, MIL-PRF-39007, RWR81S
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Размер / Размерность：0.085 Dia x 0.250 L (2.16mm x 6.35mm)
Допуск：±1%
Состояние изделия：Active
Количество выводов：2
Коэффициент температурной зависимости：±50ppm/°C
Тип：RF Bipolar Power
Сопротивление：2.1 Ohms
Состав：Wirewound
Мощность (ватт)：1W
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Частота работы：224 MHz
Срок службы：S (0.001%)
Тип продукта：RF Bipolar Transistors
Тип транзистора：Bipolar Power
Прямоходящий ток коллектора：4 A
Характеристики：Military, Moisture Resistant
Категория продукта：RF Bipolar Transistors
Высота сидения (макс.)：--

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

BLV32F