TPV8100B

Advanced
Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Axial
RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：Axial
Поставщик упаковки устройства：Axial
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：4 V
Распад мощности：215 W
Полярность транзистора：NPN
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：30
Минимальная температура работы：- 65 C
Монтажные варианты：Screw Mount
Производитель：Advanced Semiconductor, Inc.
Бренд：Advanced Semiconductor, Inc.
РХОС：Details
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：30 V
Рабочая температура：-65°C ~ 175°C
Серия：Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55
Пакетирование：Bulk
Размер / Размерность：0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm)
Допуск：±0.5%
Состояние изделия：Active
Количество выводов：2
Коэффициент температурной зависимости：±25ppm/°C
Тип：RF Bipolar Power
Сопротивление：14.7 kOhms
Состав：Metal Film
Мощность (ватт)：0.125W, 1/8W
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Частота работы：860 MHz
Срок службы：R (0.01%)
Тип продукта：RF Bipolar Transistors
Тип транзистора：Bipolar Power
Прямоходящий ток коллектора：12 A
Характеристики：Military, Moisture Resistant, Weldable
Категория продукта：RF Bipolar Transistors
Высота сидения (макс.)：--

Со склада 0

Итого $0.00000

Телефон

TPV8100B