2N3585

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-213AA, TO-66-2
Trans GP BJT NPN 300V 2A 3-Pin(2 Tab) TO-66
Date Sheet

Lagernummer 117

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-213AA, TO-66-2
Монтаж：Through Hole
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-66 (TO-213AA)
Полярность транзистора：NPN
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：2 A
Основной номер продукта：2N3585
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Эмиттер-основное напряжение：6(V)
Формат упаковки：TO-66
Токовая напряжение коллектора-эммитера：500(V)
Категория：Bipolar Power
Диапазон рабочей температуры：-65C to 200C
Коллекторный ток (постоянный)：2(A)
Количество элементов：1
Квантовозащитный：No
Уголок постоянного тока：25
Монтаж：Through Hole
Расписание В：8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
РХОС：Compliant
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：6 V
Распад мощности：2.5 W
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage：750 mV
Вес единицы：1.612020 oz
Минимальная температура работы：- 65 C
Пакетная партия производителя：1
Монтажные варианты：Through Hole
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology
Максимальный постоянный ток сбора：2 A
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：300 V
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Пакетирование：Tray
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Подкатегория：Transistors
Максимальная потеря мощности：2.5 W
Технология：Si
Число контактов：2 +Tab
Направленность：NPN
Конфигурация：Single
Распад мощности：2.5(W)
Выводная мощность：Not Required(W)
Мощность - Макс：2.5 W
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300 V
Максимальный ток сбора：2 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 100mA, 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：5mA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：750mV @ 125mA, 1A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：300 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：500 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：6 V
Прямоходящий ток коллектора：2
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Корпусировка на излучение：No

Со склада 117

Итого $0.00000

Телефон

2N3585