Изображение служит лишь для справки
DXTN3C100PDQ-13
-
Diodes
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- Axial, Box
- SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Date Sheet
Lagernummer 1761
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:Axial, Box
- Вид крепления:Surface Mount
- Монтажная особенность:Flanges
- Поставщик упаковки устройства:PowerDI5060-8 (Type UXD)
- Пакет:Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic):3A
- Основной номер продукта:DXTN3C100
- Mfr:Diodes Incorporated
- Состояние продукта:Active
- Формат упаковки:PowerDI5060-8/SWP
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:100 V
- Максимальный постоянный ток сбора:3 A
- Пакетная партия производителя:2500
- Производитель:Diodes Incorporated
- Бренд:Diodes Incorporated
- Рабочая температура:-55°C ~ 250°C
- Серия:Military, MIL-PRF-39009, RER70
- Пакетирование:Bulk
- Размер / Размерность:1.062 L x 1.080 W (26.97mm x 27.43mm)
- Допуск:±1%
- Состояние изделия:Active
- Коэффициент температурной зависимости:±100ppm/°C
- Сопротивление:681 mOhms
- Состав:Wirewound
- Мощность (ватт):20W
- Срок службы:R (0.01%)
- Стиль вывода:Solder Lugs
- Мощность - Макс:1.47W
- Тип транзистора:2 NPN (Dual)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:150 @ 500mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:330mV @ 300mA, 3A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):100V
- Обкладка, Тип корпуса:Aluminum
- Частота - Переход:130MHz
- Характеристики:Military, Moisture Resistant
- Категория продукта:Diodes Inc.
- Высота сидения (макс.):0.561 (14.25mm)
Со склада 1761
Итого $0.00000










