2N3764

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
PNP TRANSISTOR
Date Sheet

Lagernummer 5

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Монтаж：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：3
Поставщик упаковки устройства：TO-46
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：1.5 A
Основной номер продукта：2N3764
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
РХОС：Compliant
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：500 mW
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
Распад мощности：1 W
Полярность транзистора：PNP
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：30
Collector-Emitter Saturation Voltage：900 mV
Минимальная температура работы：- 55 C
Монтажные варианты：Through Hole
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Максимальный постоянный ток сбора：1.5 A
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：40 V
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2N3764
Время включения макс. (ton)：43 ns
Форма упаковки：ROUND
Производитель：Microsemi Corporation
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Время отключения макс. (toff)：115 ns
Ранг риска：5.17
Код упаковки компонента：BCY
Рабочая температура：-55°C ~ 200°C
Серия：-
Пакетирование：Bulk
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Подкатегория：Other Transistors
Технология：Si
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：PNP
Конфигурация：Single
Распад мощности：500 mW
Мощность - Макс：1 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40 V
Максимальный ток сбора：1.5 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 1.5A, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA
Код JEDEC-95：TO-46
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：900mV @ 100mA, 1A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.5 W
Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5 V
Максимальный ток коллектора (IC)：1.5 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：35
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：40 V
Корпусировка на излучение：No

Со склада 5

Итого $0.00000

Телефон

2N3764