2N3879

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-213AA, TO-66-2
Trans GP BJT NPN 75V 7A 3-Pin(2 Tab) TO-66
Date Sheet

Lagernummer 118

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-213AA, TO-66-2
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：2
Поставщик упаковки устройства：TO-66 (TO-213AA)
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Полярность транзистора：NPN
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：7 A
Основной номер продукта：2N3879
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：7 V
Распад мощности：35 W
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage：1.2 V
Вес единицы：0.634459 oz
Минимальная температура работы：- 65 C
Пакетная партия производителя：1
Монтажные варианты：Through Hole
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology / Atmel
Максимальный постоянный ток сбора：7 A
РХОС：N
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：75 V
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Траниционный частотный предел (fT)：40 MHz
Артикул Производителя：2N3879
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Ранг риска：5.07
Код упаковки компонента：TO-66
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Пакетирование：Tray
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：PIN/PEG
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：O-MBFM-P2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：Single
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：35 W
Полярность/Тип канала：NPN
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 500mA, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：4mA
Код JEDEC-95：TO-213AA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.2V @ 400mA, 4A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：75 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：120 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：35 W
Максимальный ток коллектора (IC)：7 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：12
Прямоходящий ток коллектора：7
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：75 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 118

Итого $0.00000

Телефон

2N3879