2N3998

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
TO-210AA, TO-59-4, Stud
NPN TRANSISTOR
Date Sheet

Lagernummer 2272

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Stud Mount
Корпус / Кейс：TO-210AA, TO-59-4, Stud
Монтаж：Stud
Поверхностный монтаж：NO
Количество контактов：4
Поставщик упаковки устройства：TO-59
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：5 A
Основной номер продукта：2N3998
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
РХОС：Compliant
Пакетная партия производителя：1
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology
Описание пакета：TO-59, 3 PIN
Форма упаковки：POST/STUD MOUNT
Код упаковки компонента：TO-59
Ранг риска：5.09
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Код цикла жизни компонента：Active
Количество элементов：1
Форма упаковки：ROUND
Артикул Производителя：2N3998
Рохс Код：No
Температура работы-Макс：200 °C
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Материал корпуса пакета：METAL
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Пакетирование：Tray
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Максимальная рабочая температура：200 °C
Минимальная температура работы：-65 °C
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Подкатегория：Transistors
Максимальная потеря мощности：2 W
Технология：Si
Положение терминала：UPPER
Форма вывода：UNSPECIFIED
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：O-MUPM-X3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：2 W
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80 V
Максимальный ток сбора：5 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 1A, 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)：10µA
Код JEDEC-95：TO-59
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：2V @ 500mA, 5A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：100 V
Максимальный ток коллектора (IC)：5 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：15
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：80 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Корпусировка на излучение：No

Со склада 2272

Итого $0.00000

Телефон

2N3998