2N2907AUB

Microchip
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
SMD-3
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin UB
Date Sheet

Lagernummer 1086

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：SMD-3
Вид крепления：Surface Mount
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：UB
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Полярность транзистора：PNP
Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
Распад мощности：500 mW
Максимальная рабочая температура：+ 200 C
Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：50
Collector-Emitter Saturation Voltage：400 mV
Вес единицы：0.060162 oz
Минимальная температура работы：- 65 C
Пакетная партия производителя：1
Монтажные варианты：SMD/SMT
Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
Производитель：Microchip
Бренд：Microchip Technology / Atmel
Максимальный постоянный ток сбора：600 mA
Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：450
РХОС：N
Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：60 V
Пакет：Bulk
Максимальный коллекторный ток (Ic)：600 mA
Основной номер продукта：2N2907
Mfr：Microchip Technology
Состояние продукта：Active
Описание пакета：HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Температура работы-Макс：200 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：2N2907AUB
Время включения макс. (ton)：45 ns
Форма упаковки：RECTANGULAR
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Время отключения макс. (toff)：300 ns
Ранг риска：0.73
Код упаковки компонента：SOT
Пакетирование：Waffle
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN LEAD
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Подкатегория：Transistors
Технология：Si
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-CDSO-N3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：Single
Распад мощности：500
Мощность - Макс：500 mW
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：PNP
Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
Тип транзистора：PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.6V @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：60 V
Частота - Переход：-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V
Максимальная потеря мощности (абс.)：1.16 W
Максимальный ток коллектора (IC)：0.6 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：50
Прямоходящий ток коллектора：600
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：60 V
Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT

Со склада 1086

Итого $0.00000

Телефон

2N2907AUB