Изображение служит лишь для справки
STB75NH02LT4
-
STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 737
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:60A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:80W Tc
- Время отключения:18 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id:1.8V @ 250μA
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Серия:STripFET™ III
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:2
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:24V
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):245
- Моментальный ток:75A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Основной номер части:STB75N
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:80W
- Сокетная связка:DRAIN
- Время задержки включения:12 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:8m Ω @ 30A, 10V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2050pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:22nC @ 5V
- Время подъема:200ns
- Угол настройки (макс.):±20V
- Время падения (тип):25 ns
- Непрерывный ток стока (ID):60A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):20V
- Сопротивление открытого канала-макс:0.014Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку:24V
- Максимальный импульсный ток вывода:240A
- Корпусировка на излучение:No
- Состояние RoHS:Non-RoHS Compliant
Со склада 737
Итого $0.00000
аналогичные продукты










